BSC0910NDIATMA1 価格設定（USD） [95992個在庫]
- 1 pcs$0.40734
- 5,000 pcs$0.39102
- 品番:
- BSC0910NDIATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1 electronic components. BSC0910NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0910NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC0910NDIATMA1 製品の属性
品番 :
BSC0910NDIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A, 31A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4500pF @ 12V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TISON-8
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NDS8936
- BUK7K6R2-40E/CX
- UPA2350T1P-E4-A
- NTZD3155CT1H
- NTZD5110NT5G
- AON2801L
- SSM6P35FE,LM
- AO4914_101
- EFC6611R-A-TF
- EMH2407-S-TL-H
- JANTX2N7334
- AON6938
- MCH6662-TL-H
- SIZ700DT-T1-GE3
- SI7911DN-T1-GE3
- SI4906DY-T1-GE3
- SP8M7FU6TB
- FDD8424H_F085
- IRF7750TRPBF
- SI7872DP-T1-E3
- SI7842DP-T1-E3
- SI6993DQ-T1-E3
- SI4830ADY-T1-E3
- SI1913EDH-T1-E3
- SI1035X-T1-E3
- NTJD4401NT4G
- FDW2503NZ
- FDW2507NZ
- NTHD2102PT1
- BSO215C
- ZDM4306NTA
- NVMFD5483NLT3G
- SQ4284EY-T1_GE3
- BUK7K12-60EX
- BUK7K6R8-40E,115
- SIR770DP-T1-GE3
- BSZ0909NDXTMA1
- IPG20N06S2L50ATMA1
- IRF7506TRPBF
- QS8M11TCR