[1444個在庫]
- 品番:
- SI5441DC-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5441DC-T1-E3 electronic components. SI5441DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5441DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5441DC-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI5441DC-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
55 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.3W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON6562
- IPD60R650CEATMA1
- HUFA76645S3ST-F085
- RJK5026DPP-E0#T2
- RJK2009DPM-00#T0
- IPA50R380CE
- BUZ73A H3046
- RJK6025DPD-00#J2
- IRLHM630TR2PBF
- SI4418DY-T1-GE3
- SI1403CDL-T1-GE3
- BSC200P03LSGAUMA1
- NDS8410A
- IRF6710S2TR1PBF
- IRFR5505CTRLPBF
- IRF1405ZSPBF
- IPB09N03LA G
- HUF75939P3
- RFP50N05L
- STW26NM50
- FQPF9N30
- FQI5N40TU
- ZVN4306AVSTOA
- NTB75N03L09T4G
- IRFU3911PBF
- IRF6691TR1
- NTP60N06L
- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
- IRFS41N15DTRR
- IRFI510G
- IRF840L
- IRF540
- IXFV20N80P
- IPB107N20N3GATMA1
- IPB47N10S33ATMA1
- STB3NK60ZT4
- IPC020N10L3X1SA1
- ES6U1T2R