メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
410mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 40mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
2.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
80pF @ 40V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)