IXTH12N100L 価格設定（USD） [6766個在庫]
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- 品番:
- IXTH12N100L
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTH12N100L electronic components. IXTH12N100L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH12N100L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH12N100L 製品の属性
品番 :
IXTH12N100L
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.3 Ohm @ 500mA, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 20V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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