DMN1150UFB-7B 価格設定（USD） [1272399個在庫]
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- 10,000 pcs$0.02610
- 品番:
- DMN1150UFB-7B
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B electronic components. DMN1150UFB-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1150UFB-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1150UFB-7B 製品の属性
品番 :
DMN1150UFB-7B
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.41A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
106pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
パッケージ/ケース :
3-UFDFN
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