Vishay Siliconix - SI7457DP-T1-E3

KEY Part #: K6405994

[1472個在庫]


    品番:
    SI7457DP-T1-E3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7457DP-T1-E3 製品の属性

    品番 : SI7457DP-T1-E3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 28A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 42 mOhm @ 7.9A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 160nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5230pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
    パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

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