Microsemi Corporation - APT25M100J

KEY Part #: K6392601

APT25M100J 価格設定（USD） [2855個在庫]

1 pcs$15.16844
10 pcs$14.03150
25 pcs$12.89401
100 pcs$11.98381
250 pcs$10.99780

品番:: APT25M100J

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APT25M100J electronic components. APT25M100J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT25M100J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT25M100J 製品の属性

品番 : APT25M100J

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

シリーズ : POWER MOS 8™

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 330 mOhm @ 18A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 305nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 9835pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 545W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®

パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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