[12980個在庫]
- 品番:
- IRFR3704ZPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 60A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR3704ZPBF electronic components. IRFR3704ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3704ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR3704ZPBF 製品の属性
品番 :
IRFR3704ZPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.55V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1190pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
48W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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