SIHF35N60E-GE3 価格設定（USD） [14454個在庫]
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- 品番:
- SIHF35N60E-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHF35N60E-GE3 electronic components. SIHF35N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF35N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHF35N60E-GE3 製品の属性
品番 :
SIHF35N60E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
シリーズ :
E
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
132nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2760pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
39W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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