Diodes Incorporated - DMN95H8D5HCTI

KEY Part #: K6396066

DMN95H8D5HCTI 価格設定(USD) [60727個在庫]

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品番:
DMN95H8D5HCTI
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN95H8D5HCTI 製品の属性

品番 : DMN95H8D5HCTI
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 950V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 470pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ITO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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