IRFB59N10DPBF 価格設定（USD） [37557個在庫]
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- 品番:
- IRFB59N10DPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
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IRFB59N10DPBF 製品の属性
品番 :
IRFB59N10DPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
59A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2450pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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