Diodes Incorporated - DMN1019USN-7

KEY Part #: K6405363

DMN1019USN-7 価格設定(USD) [634042個在庫]

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品番:
DMN1019USN-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1019USN-7 製品の属性

品番 : DMN1019USN-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 2.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 50.6nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2426pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 680mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-59
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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