Infineon Technologies - IPDD60R150G7XTMA1

KEY Part #: K6401262

IPDD60R150G7XTMA1 価格設定(USD) [49176個在庫]

  • 1 pcs$0.79512

品番:
IPDD60R150G7XTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPDD60R150G7XTMA1 製品の属性

品番 : IPDD60R150G7XTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10
シリーズ : CoolMOS™ G7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 260µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 902pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 95W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HDSOP-10-1
パッケージ/ケース : 10-PowerSOP Module

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