Nexperia USA Inc. - PSMN1R5-40ES,127

KEY Part #: K6418373

PSMN1R5-40ES,127 価格設定(USD) [60774個在庫]

  • 1 pcs$1.48516
  • 10 pcs$1.32430
  • 100 pcs$1.03041
  • 500 pcs$0.83438
  • 1,000 pcs$0.70369

品番:
PSMN1R5-40ES,127
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN1R5-40ES,127 electronic components. PSMN1R5-40ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R5-40ES,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R5-40ES,127 製品の属性

品番 : PSMN1R5-40ES,127
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 136nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9710pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 338W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.