Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J129TU(TE85L)

KEY Part #: K6412953

[8426個在庫]


    品番:
    SSM3J129TU(TE85L)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J129TU(TE85L) electronic components. SSM3J129TU(TE85L) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J129TU(TE85L), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J129TU(TE85L) 製品の属性

    品番 : SSM3J129TU(TE85L)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
    シリーズ : U-MOSV
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.6A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 46 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.1nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 640pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 500mW (Ta)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : UFM
    パッケージ/ケース : 3-SMD, Flat Leads

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5804TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • ZVP2110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

    • MPF990

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 90V 2A TO-92.

    • MPF960

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 2A TO-92.

    • BS170RLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • VN0300L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.