STMicroelectronics - STQ1NK60ZR-AP

KEY Part #: K6416057

STQ1NK60ZR-AP 価格設定(USD) [472855個在庫]

  • 1 pcs$0.07861
  • 2,000 pcs$0.07822

品番:
STQ1NK60ZR-AP
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP electronic components. STQ1NK60ZR-AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STQ1NK60ZR-AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STQ1NK60ZR-AP 製品の属性

品番 : STQ1NK60ZR-AP
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
シリーズ : SuperMESH™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 300mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 94pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.