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ON Semiconductor - FQU2N100TU

KEY Part #: K6409471

FQU2N100TU 価格設定（USD） [75420個在庫]

  • 1 pcs$0.51844
  • 5,040 pcs$0.17682
品番:
FQU2N100TU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQU2N100TU electronic components. FQU2N100TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU2N100TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU2N100TU 製品の属性

品番 : FQU2N100TU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15.5nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 520pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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