Nexperia USA Inc. - PHD101NQ03LT,118

KEY Part #: K6420798

PHD101NQ03LT,118 価格設定(USD) [257847個在庫]

  • 1 pcs$0.14417
  • 10,000 pcs$0.14345

品番:
PHD101NQ03LT,118
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PHD101NQ03LT,118 electronic components. PHD101NQ03LT,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHD101NQ03LT,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHD101NQ03LT,118 製品の属性

品番 : PHD101NQ03LT,118
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 75A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2180pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 166W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません