Vishay Siliconix - IRFBC30AS

KEY Part #: K6414900

[12595個在庫]


    品番:
    IRFBC30AS
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFBC30AS electronic components. IRFBC30AS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBC30AS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFBC30AS 製品の属性

    品番 : IRFBC30AS
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 510pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 74W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVN0545A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

    • IRFR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • IRFR3910TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • 94-4737

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRFIZ24G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.