Microsemi Corporation - APT18M80B

KEY Part #: K6395050

APT18M80B 価格設定(USD) [10686個在庫]

  • 1 pcs$4.23953
  • 10 pcs$3.81602
  • 100 pcs$3.13765
  • 500 pcs$2.62883

品番:
APT18M80B
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M80B electronic components. APT18M80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M80B 製品の属性

品番 : APT18M80B
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 19A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 530 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3760pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
パッケージ/ケース : TO-247-3