DMN2058UW-7 価格設定（USD） [1166683個在庫]
- 1 pcs$0.03170
- 品番:
- DMN2058UW-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2058UW-7 electronic components. DMN2058UW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2058UW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2058UW-7 製品の属性
品番 :
DMN2058UW-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
281pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-323
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
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