Vishay Semiconductor Diodes Division - RS1PJ-E3/85A

KEY Part #: K6446991

[1577個在庫]


    品番:
    RS1PJ-E3/85A
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS1PJ-E3/85A electronic components. RS1PJ-E3/85A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1PJ-E3/85A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS1PJ-E3/85A 製品の属性

    品番 : RS1PJ-E3/85A
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
    シリーズ : eSMP®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 250ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : 9pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-220AA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-220AA (SMP)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.