VS-8EWX06FN-M3 価格設定（USD） [93521個在庫]
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- 品番:
- VS-8EWX06FN-M3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWX06FN-M3 electronic components. VS-8EWX06FN-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWX06FN-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-8EWX06FN-M3 製品の属性
品番 :
VS-8EWX06FN-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252
シリーズ :
FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
3V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
17ns
電流-Vrでの逆漏れ :
50µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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VS-8EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast
ホットパーツ
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1