Rohm Semiconductor - R6004JND3TL1

KEY Part #: K6393214

R6004JND3TL1 価格設定(USD) [127409個在庫]

  • 1 pcs$0.29030

品番:
R6004JND3TL1
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor R6004JND3TL1 electronic components. R6004JND3TL1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6004JND3TL1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6004JND3TL1 製品の属性

品番 : R6004JND3TL1
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id : 7V @ 450µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10.5nC @ 15V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 260pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • LND150N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • VN1206L-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • FDD6296

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK.

  • FDD6680AS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • FDD86252

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 5A DPAK.

  • FDD3690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK.