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ON Semiconductor - NTMFS4H02NFT3G

KEY Part #: K6393640

NTMFS4H02NFT3G 価格設定（USD） [45807個在庫]

  • 1 pcs$0.85786
  • 5,000 pcs$0.85359
品番:
NTMFS4H02NFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS4H02NFT3G electronic components. NTMFS4H02NFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4H02NFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4H02NFT3G 製品の属性

品番 : NTMFS4H02NFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 37A (Ta), 193A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 40.9nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2652pF @ 12V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.13W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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