NTMFS4H02NFT3G 価格設定（USD） [45807個在庫]
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- 品番:
- NTMFS4H02NFT3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMFS4H02NFT3G electronic components. NTMFS4H02NFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4H02NFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMFS4H02NFT3G 製品の属性
品番 :
NTMFS4H02NFT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
37A (Ta), 193A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
40.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2652pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.13W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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