Vishay Siliconix - SQM200N04-1M1L_GE3

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SQM200N04-1M1L_GE3 価格設定(USD) [40271個在庫]

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品番:
SQM200N04-1M1L_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM200N04-1M1L_GE3 製品の属性

品番 : SQM200N04-1M1L_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 413nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 20655pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263-7
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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