Infineon Technologies - IRFP4310ZPBF

KEY Part #: K6402560

IRFP4310ZPBF 価格設定(USD) [23616個在庫]

  • 1 pcs$1.58211
  • 10 pcs$1.41068
  • 100 pcs$1.09743
  • 500 pcs$0.88865
  • 1,000 pcs$0.74947

品番:
IRFP4310ZPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFP4310ZPBF electronic components. IRFP4310ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP4310ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP4310ZPBF 製品の属性

品番 : IRFP4310ZPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6860pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 280W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6354-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • TN0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.