メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
31A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
68.6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4305pF @ 25V
消費電力(最大) :
3.6W (Ta), 167W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8