IPL65R660E6AUMA1 価格設定（USD） [2912個在庫]
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- 品番:
- IPL65R660E6AUMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 4VSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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IPL65R660E6AUMA1 製品の属性
品番 :
IPL65R660E6AUMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 4VSON
シリーズ :
CoolMOS™ E6
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
63W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Thin-Pak (8x8)
パッケージ/ケース :
4-PowerTSFN
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