Infineon Technologies - BAS16E6393HTSA1

KEY Part #: K6442143

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    品番:
    BAS16E6393HTSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    DIODE GP 80V 250MA SOT23-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAS16E6393HTSA1 製品の属性

    品番 : BAS16E6393HTSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : DIODE GP 80V 250MA SOT23-3
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101
    部品ステータス : Last Time Buy
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
    電流-平均整流(Io) : 250mA (DC)
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 150mA
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 4ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 75V
    静電容量@ Vr、F : 2pF @ 0V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
    動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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