Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1

KEY Part #: K6442125

[3240個在庫]


    品番:
    IDK06G65C5XTMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IDK06G65C5XTMA1 electronic components. IDK06G65C5XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDK06G65C5XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDK06G65C5XTMA1 製品の属性

    品番 : IDK06G65C5XTMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2
    シリーズ : CoolSiC™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
    電流-平均整流(Io) : 6A (DC)
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 6A
    速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 0ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1.1mA @ 650V
    静電容量@ Vr、F : 190pF @ 1V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-2
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません