S10CKHM3/I 価格設定（USD） [238574個在庫]
- 1 pcs$0.15504
- 品番:
- S10CKHM3/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB. Rectifiers 10A, 800V SMC AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S10CKHM3/I electronic components. S10CKHM3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S10CKHM3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S10CKHM3/I 製品の属性
品番 :
S10CKHM3/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 10A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
79pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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