Vishay Semiconductor Diodes Division - FES16CTHE3/45

KEY Part #: K6446673

FES16CTHE3/45 価格設定(USD) [1685個在庫]

  • 1,000 pcs$0.42382

品番:
FES16CTHE3/45
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FES16CTHE3/45 electronic components. FES16CTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FES16CTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FES16CTHE3/45 製品の属性

品番 : FES16CTHE3/45
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 16A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 975mV @ 16A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • IDB18E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

  • VS-30CPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

  • VS-80EPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF04PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.

  • MBR1650HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

  • SUF30G-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 3A P600.