MURS160HE3_A/I 価格設定（USD） [506068個在庫]
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- 品番:
- MURS160HE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,600V,50ns SMB, UF Rect, SMD
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MURS160HE3_A/I electronic components. MURS160HE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURS160HE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MURS160HE3_A/I 製品の属性
品番 :
MURS160HE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
75ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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ホットパーツ
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- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
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- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
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