FESB16DT-E3/81 価格設定（USD） [84873個在庫]
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- 品番:
- FESB16DT-E3/81
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DT-E3/81 electronic components. FESB16DT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16DT-E3/81 製品の属性
品番 :
FESB16DT-E3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
16A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
975mV @ 16A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
175pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
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