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- 品番:
- IDB18E120ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDB18E120ATMA1 electronic components. IDB18E120ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDB18E120ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDB18E120ATMA1 製品の属性
品番 :
IDB18E120ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
31A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
2.15V @ 18A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
195ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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