Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-80EPF02PBF

KEY Part #: K6446621

[1704個在庫]


    品番:
    VS-80EPF02PBF
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-80EPF02PBF electronic components. VS-80EPF02PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-80EPF02PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-80EPF02PBF 製品の属性

    品番 : VS-80EPF02PBF
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 80A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 80A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 190ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-247-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
    動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • BAT54-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.