STMicroelectronics - STB11NM60FDT4

KEY Part #: K6417410

STB11NM60FDT4 価格設定(USD) [30284個在庫]

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品番:
STB11NM60FDT4
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB11NM60FDT4 製品の属性

品番 : STB11NM60FDT4
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
シリーズ : FDmesh™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 160W (Tc)
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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