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ON Semiconductor - EFC6601R-A-TR

KEY Part #: K6523734

EFC6601R-A-TR 価格設定（USD） [4066個在庫]

  • 5,000 pcs$0.15623
品番:
EFC6601R-A-TR
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH EFCP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor EFC6601R-A-TR electronic components. EFC6601R-A-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EFC6601R-A-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EFC6601R-A-TR 製品の属性

品番 : EFC6601R-A-TR
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH EFCP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 : Logic Level Gate, 2.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : -
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : -
Rds On（最大）@ Id、Vgs : -
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 48nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
パワー-最大 : 2W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-XFBGA, FCBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : EFCP2718-6CE-020

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