FF50R12RT4HOSA1 価格設定（USD） [1939個在庫]
- 1 pcs$22.33106
- 品番:
- FF50R12RT4HOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE 1200V 50A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Infineon Technologies FF50R12RT4HOSA1 electronic components. FF50R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF50R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FF50R12RT4HOSA1 製品の属性
品番 :
FF50R12RT4HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE 1200V 50A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
50A
パワー-最大 :
285W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
2.8nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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