FF225R12ME4BOSA1 価格設定（USD） [852個在庫]
- 1 pcs$54.52295
- 品番:
- FF225R12ME4BOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1200V 225A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FF225R12ME4BOSA1 electronic components. FF225R12ME4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF225R12ME4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FF225R12ME4BOSA1 製品の属性
品番 :
FF225R12ME4BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1200V 225A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
320A
パワー-最大 :
1050W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 225A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
3mA
入力容量（Cies）@ Vce :
13nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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