FF150R12KT3GHOSA1 価格設定（USD） [1023個在庫]
- 1 pcs$45.36503
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FF150R12KT3GHOSA1 electronic components. FF150R12KT3GHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF150R12KT3GHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FF150R12KT3GHOSA1 製品の属性
品番 :
FF150R12KT3GHOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Single Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
225A
パワー-最大 :
780W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
11nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-40°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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