FZ750R65KE3NOSA1 価格設定（USD） [31個在庫]
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- 品番:
- FZ750R65KE3NOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MODULE IGBT A-IHV190-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FZ750R65KE3NOSA1 electronic components. FZ750R65KE3NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ750R65KE3NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FZ750R65KE3NOSA1 製品の属性
品番 :
FZ750R65KE3NOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MODULE IGBT A-IHV190-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
6500V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
750A
パワー-最大 :
14500W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3.4V @ 15V, 750A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
205nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-50°C ~ 125°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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