Infineon Technologies - BSM30GP60BOSA1

KEY Part #: K6534506

BSM30GP60BOSA1 価格設定(USD) [959個在庫]

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品番:
BSM30GP60BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM30GP60BOSA1 製品の属性

品番 : BSM30GP60BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 50A
パワー-最大 : 180W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 30A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 300nA
入力容量(Cies)@ Vce : 1.6nF @ 25V
入力 : Three Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module