Vishay Siliconix - SI9926CDY-T1-E3

KEY Part #: K6524912

SI9926CDY-T1-E3 価格設定(USD) [150065個在庫]

  • 1 pcs$0.24648
  • 2,500 pcs$0.23145

品番:
SI9926CDY-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-E3 electronic components. SI9926CDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI9926CDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI9926CDY-T1-E3 製品の属性

品番 : SI9926CDY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1200pF @ 10V
パワー-最大 : 3.1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO