IXFK38N80Q2 価格設定（USD） [3914個在庫]
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- 25 pcs$12.17256
- 品番:
- IXFK38N80Q2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 38A TO-264.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFK38N80Q2 electronic components. IXFK38N80Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFK38N80Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFK38N80Q2 製品の属性
品番 :
IXFK38N80Q2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8340pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
735W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-264AA (IXFK)
パッケージ/ケース :
TO-264-3, TO-264AA
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