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ON Semiconductor - NTMFS5H615NLT1G

KEY Part #: K6418485

NTMFS5H615NLT1G 価格設定（USD） [65278個在庫]

  • 1 pcs$0.59898
品番:
NTMFS5H615NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
T8 60V LOW COSS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS5H615NLT1G electronic components. NTMFS5H615NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS5H615NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5H615NLT1G 製品の属性

品番 : NTMFS5H615NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : T8 60V LOW COSS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 28A (Ta), 185A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.8 mOhm @ 49A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4860pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.2W (Ta), 139W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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