Vishay Semiconductor Diodes Division - US1JHE3/61T

KEY Part #: K6444893

[2294個在庫]


    品番:
    US1JHE3/61T
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1JHE3/61T electronic components. US1JHE3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1JHE3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    US1JHE3/61T 製品の属性

    品番 : US1JHE3/61T
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 75ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
    静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.

    • RD0106T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.

    • RD0504T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

    • SRP600K-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 6A P600.

    • SRP600B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

    • VSB2045Y-M3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS