Vishay Semiconductor Diodes Division - UG5JT-E3/45

KEY Part #: K6445608

UG5JT-E3/45 価格設定(USD) [7304個在庫]

  • 1,000 pcs$0.20095

品番:
UG5JT-E3/45
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG5JT-E3/45 electronic components. UG5JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG5JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG5JT-E3/45 製品の属性

品番 : UG5JT-E3/45
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.75V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 30µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • VS-80EPS12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.