ON Semiconductor - RD0106T-TL-H

KEY Part #: K6444991

RD0106T-TL-H 価格設定(USD) [2260個在庫]

  • 2,800 pcs$0.07924

品番:
RD0106T-TL-H
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor RD0106T-TL-H electronic components. RD0106T-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RD0106T-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD0106T-TL-H 製品の属性

品番 : RD0106T-TL-H
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : TP-FA
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • RD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.

  • RD0106T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.

  • RD0504T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • VS-50WQ06FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • SRP600K-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 6A P600.

  • SRP600B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.